Прорыв в создании ОЗУ

1
159

Ученые из Испанского Университета (город Гранада) совместно с французскими коллегами из лаборатории в городе Гренобле заявили о работе над новой технологией создания модулей ОЗУ.

Разработанный метод создания ОЗУ назван Advanced Random Access Memory, или A-RAM. Ожидается, что в будущем, новый модуль памяти придет на смену популярным динамическим модулям ОЗУ(DRAV) с произвольным доступом.

Ячейки новой ОЗУ устроены таким образом, что этим ячейками для нормального функционирования достаточно по одному, редко по два конденсатора и транзистора. Однако, чем меньше чип (стандартным размером современного чипа считается 20 нм). Создание миниатюрных конденсаторов становится все сложнее.

В использовании конденсатора при создании ОЗУ нового поколения нет необходимости, что позволяет внедрять технические процессы меньшей толщины. Также стоит отметить, что новые модули памяти стали более эффективны в плане расхода энергии, их производительность повысилась, а это дает возможность создавать ОЗУ большего объема памяти.

Проект по созданию оперативной памяти нового поколения был представлен в 2009 году. Практическая польза A-RAM уже доказана учеными.
Новая модель оперативной памяти уже имеет десять патентов мирового значения. Напоследок отмечу, что данным техническим новшеством заинтересовались мировые лидеры по производству модулей ОЗУ.

А вот если вам срочно понадобится юридическая консультация, то достаточно кликнуть по ссылке и получить помощь от квалифицированных юристов. Помощь оказывается во всех сферах юриспруденции.

1 КОММЕНТАРИЙ